A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation realizou cerimônia para marcar a conclusão de uma nova instalação de fabricação de wafer de 300 milímetros para semicondutores de potência e um prédio de escritórios na Kaga Toshiba Electronics Corporation, em Ishikawa, Japão. A conclusão da construção é um marco importante para a Fase 1 do programa de investimento plurianual da Toshiba, que agora prosseguirá com a instalação de equipamentos, com o objetivo de iniciar a produção em massa no segundo semestre do ano fiscal de 2024. Quando a Fase 1 atingir a operação em escala total, a capacidade de produção da Toshiba para semicondutores de potência, principalmente MOSFETs e IGBTs será 2,5 vezes maior do que em 2021, quando o plano de investimento foi feito. As decisões sobre a construção e o início da operação da Fase 2 refletirão as tendências do mercado.
O novo prédio de fabricação contribui para o Plano de Continuidade de Negócios (BCP) da Toshiba: ele tem uma estrutura de isolamento sísmico que absorve choques de terremotos e fontes de energia redundantes. A energia de fonte renovável e os painéis solares no telhado do edifício (modelo PPA no local) permitirão que a instalação atenda a 100% de sua necessidade de energia com energia renovável.
A qualidade do produto e a eficiência da produção serão aumentadas pelo uso de inteligência artificial (IA). A Toshiba espera receber um subsídio do Ministério da Economia, Comércio e Indústria do Japão para financiar parte do investimento em equipamentos de manufatura.
Os semicondutores de potência desempenham um papel crucial no fornecimento e controle de eletricidade e são dispositivos essenciais para a eficiência energética em todos os equipamentos elétricos. Com a contínua eletrificação de automóveis e a automação de máquinas industriais, espera-se que eles apresentem um crescimento robusto e contínuo da demanda.
