Para a eletrônica de potência de próxima geração, a Basf desenvolveu uma poliftalamida (PPA) que é especialmente adequada para a fabricação de invólucros de semicondutores IGBT (transistor bipolar de porta isolada). O Ultramid ® Advanced N3U41 G6 atende à crescente demanda por componentes eletrônicos confiáveis e de alto desempenho para, por exemplo, veículos elétricos, trens de alta velocidade, fabricação inteligente e geração de energia renovável. A Semikron Danfoss, empresa global em tecnologia em eletrônica de potência, agora usa o PPA da Basf como invólucro em seu IGBT Semitrans 10, que pode ser instalado em inversores de sistemas de energia fotovoltaica e eólica. Devido à sua excelente resistência química e estabilidade dimensional, o grau Ultramid ® Advanced N aprimora a robustez, o desempenho de longo prazo e a confiabilidade desses IGBTs, atendendo assim às crescentes necessidades de economia de energia, maior densidade de potência e maior eficiência. Os IGBTs permitem comutação e controle eficientes de circuitos elétricos em eletrônica de potência.
IGBTs são um elemento-chave da eletrônica moderna, particularmente no setor de energia renovável e devem operar em temperaturas mais altas, mantendo estabilidade e desempenho de longo prazo. O Semitrans 10 estabeleceu um novo padrão de desempenho e eficiência, beneficiando-se das propriedades exclusivas do PPA da Basf. A combinação de material de alto desempenho e design inteligente permite velocidades de comutação mais rápidas, menores perdas de condução e melhor gerenciamento térmico, abordando assim as principais necessidades em eletrônica de potência.
Nos IGBTs atuais, o comprovado Ultradur ® (PBT: polibutileno tereftalato) da BASF é amplamente utilizado. O novo PPA foi projetado para atender aos rigorosos requisitos dos IGBTs de próxima geração para eletrônica de potência em rápida evolução. Eles exigem materiais que possam suportar temperaturas mais altas, fornecer isolamento elétrico sustentado e manter a estabilidade dimensional sob condições ambientais desafiadoras, como umidade, poeira e sujeira. O Ultramid ® Advanced N3U41G6 sensível a laser com retardante de chama não halogenado combina alta estabilidade térmica com baixa absorção de água e excelentes propriedades elétricas. Ele é caracterizado por um alto CTI (Índice de Rastreamento Comparativo) de 600 (de acordo com IEC 60112): Isso suporta a miniaturização de IGBTs por menor fuga e melhor isolamento do que os materiais usados até agora para interruptores de energia. A classe certificada pela UL mostra um excelente valor elétrico RTI (Índice de Temperatura Relativa) de 150 °C.
“O composto PPA da Basf está disponível globalmente e pronto para amostragem”, diz Jochen Seubert, especialista sênior em aplicações para eletrônica de potência na Basf. “Apoiados por nosso suporte técnico focado no cliente no desenvolvimento de peças, esperamos que este material inovador contribua significativamente para o avanço da eletrônica de potência, apoiando a transição global para energias renováveis.” Para a fabricação de IGBTs, o PPA da Basf é compatível com materiais de encapsulamento usados para montar os semicondutores com pinos e grampos de metal após a moldagem por injeção.
